原子层刻蚀系统（ALE）

产品概述  

原子层刻蚀技术(ALE)通过自限性反应逐层剥离待刻蚀材料，相比于现有干法刻蚀技术，  ALE可实现高精度、选择性 与低损伤的刻蚀过程，是集成电路特征尺寸迈入10nm以下所 需的关键刻蚀技术；可应用于三维纳米结构的选择性刻蚀、  二维材料低损伤刻蚀、MEMS、LED等领域。

产品参数 

可刻蚀材料： 金属氧化物、氮化物、金属、硅、二氧化硅等

刻蚀选择比： 金属氮化物/金属氧化物刻蚀选择比＞20:1

刻蚀速率：Al2O3 ：0.6-3 Å/cycle；TiN ：0.2-0.5 Å/cycle

可用气体： TMA、HF、O3等

表面粗糙度： ΔRMS＜0.5 nm

反应腔系统： 4-8 英寸基底台， RT~450℃；腔体表面采用特殊表面处理，可抗HF刻蚀

设备漏率：≤ 5×10-10Pa·m3/s

管路加热： RT~150 ℃,控制精度±1℃

控制方式： PLC&人机控制界面

原位检测系统（选配）： QCM、RGA

应用领域  

半导体器件： 7nm及更先进节点的半导体器件，用于刻蚀极窄线宽结构、深高宽比（AR）结构以及三维FinFET晶体管的栅极与源漏区分离结构

TSV侧壁修复： 可通过ALE修复去除反应等离子体刻蚀后造成的侧壁损伤

MEMS器件： 在硅基或玻璃基材上刻蚀均匀的微通道，用于生物传感器或化学分析芯片，敏感材料刻蚀，牺牲层释放与多层材料分离

图案化刻蚀： 可利用光刻+ALE的方法进行图案转移

二维材料刻蚀： MoS2 、WSe2等二维材料的原子级加工工艺