原子层沉积设备（MNT-D系列 双腔型）

迈纳德

原子层沉积子系统

MNT-D系列

序号

名称

型号

数量

备注

1

原子层沉积系统主机

/

1套

2

ICP等离子体系统

/

1套

3

双腔反应腔

/

1套

4

前驱体源输送系统

（常温液源、加热源、载气辅助源）

/

1套

5

真空系统

/

1套

6

备品备件

/

1套

1.适用于4英寸以及小尺寸样品薄膜沉积；设备本底真空优于3 Pa,设备漏率≤ 5×10-10Pa·m3/s；

2.控制方式：PLC+触摸屏；

3.多种沉积模式：快速模式、充分暴露模式和多元掺杂模式；

（2）反应腔系统

1.双腔(反应腔+真空腔)结构，反应腔可拆卸且可完全取出，真空腔体材质为316L不锈钢；腔门为传输阀标准口，真空腔带可视窗；

2.样品台单独加热，加热温度范围RT-500℃，控温±l℃；反应腔系统内外双层加热器设计，真空腔环壁加热，加热温度范围RT-300℃,控温±1℃；

3.反应腔采用喷淋气流模式，反应腔与真空腔室之间压力差可调控，避免前驱体源渗透至真空腔；

4.进样方式：样品台电动升降，样品手动转载；

（3）前驱体源输送系统

1.反应源与金属前驱体源单独进入反应腔，避免前驱体源交叉污染；反应源和金属前驱体源主管路均配备压力传感器以检测前驱体源压力；

2.前驱体源输送数4-6路；

3.前驱体源输送管路加热温度范围RT-250℃，控温±1℃；

4.常温源：配备ALD专用阀门、源手动阀、不锈钢源瓶(50 mL)；

5.加热源：配备ALD专用阀门、源手动阀、不锈钢源瓶(50 mL)，源瓶温度范围RT-200℃；

6.载气辅助源：配备ALD专用阀门、载气脉冲ALD阀门、源手动阀(耐温121℃)、MFC（量程0-100 sccm)，不锈钢源瓶(100 mL)；

7.管路及接头均采用316EP级电解抛光不锈钢材料，所有气体管路连接处采用金属VCR密封，载气管路采用N2或Ar气体，通过MFC控制；配备惰性气体自清洗系统，在控制界面中可以设置自动清洗的次数；系统部件及管路采用第三代可拆卸式加热保温套（≤250℃，控温≤±1℃）；

（4）真空系统

1.真空泵采用双级油封式真空泵，抽速不低于80 m3/s；

2.真空测量：配备进口压力传感器，检测范围为5*10-4-1000 mbar；

3.真空抽气管道可以烘烤至150℃，且真空泵前级配置热阱，温度范围RT-300℃，控制精度±1℃；

（5）控制系统

1.采用高稳定的PLC+工业触摸屏控制方式；触摸屏尺寸不小于15.6英寸；

2.PLC采用工业以太网控制方式，支持灵活扩展DeviceNet、CANopen、PROFIBUS DP等通信方式；

3.系统可实现配方编辑、保存、读取等功能；ALD阀门及管路具备自动排空和清洗功能；

4.系统设有高级界面，可进行温度PID参数自整定、前驱体标签修改等；

5.系统可实时监测动力气体压力值、系统压力值、加热状态、阀门开关状态和镀膜进度，当发生异常时触发报警并做出响应，报警日志可进行回看；

（6）等离子体源系统

1.远程ICP等离子体源系统，等离子体发生腔独立于反应腔室，与反应腔以标准CF100接口连接；远程等离子源配备喇叭口喷淋式匀气装置，与样品台距离大于300mm；

2.独立的等离子体工艺气体系统，等离子体工艺气体2路，每路均包含MFC控制，可选H2/O2/NH3/N2；1路载气；

3.采用13.56 MHz射频电源，功率10-1000 W可调，配备自动匹配器，匹配时间优于5 s；连续可调，正方向功率界面显示；

4.管路包括ALD专用隔膜阀、手动截止阀、质量流量计及相关管路；