原子层沉积系统(ALD)

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Single Chamber Type

发布:33 来源:MNT 发布日期:2019-04-28 13:56

        

单腔型(MNT-S系列)


样品台尺寸:4-12英寸 

基底加热温度: RT-400 oC; ±1 oC 

前驱体路数:4-8路 

前驱体源管路温度:RT-200 oC; ±1 oC 

源容器温度:RT-200 oC; ±1 oC 

沉积模式: 快速模式、高纵深比模式 、专业掺杂模式


可用于常规氧化物薄膜的制备金属单质铜和镍以及TiN等;

可对接手套箱等其他真空装置; 

可升级CCP系统; 

可加装臭氧系统,主要用于氧化硅,氧化铁等工艺


选配

可选配臭氧发生器、膜厚原位在线测量、通风橱、手套箱、泵前吸附(热吸附、化学吸附及粉尘吸附等)、冷阱、尾气处理器等



单腔型(MNT-S系列).png

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