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ALD的潜力

发表时间:2018-01-12 16:13

ALD的用途正不断拓展,例如,一项大有潜力的应用就是利用原有选择性膜的选择区域沉积研究人员目前正在研发在特定位置沉积金属和电介质的方法,本质上来说,这是一种不同的图形化方式 。

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选择性第一次成为了最重要的膜性质,并对5nm至3nm技术节点的集成至关重要。ALD也正被探索用来改进覆盖控制,或被用以将新图形准确地对接到现有的图形上。对下层电触点的任何偏移或错位都会减少传导率,并给芯片的性能带来负面影响。

展望未来,我们预计原子层工艺将在推动先进半导体制造方面发挥越来越重要的作。 作为一项关键的技术支持,ALD将持续发展,被集成到下一代设备中,用以应对新的结构和缩放策略的挑战。



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