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如何应用ALD?
Issuing time:2018-01-12 16:12

根据前驱体的选择,ALD工艺能够生成电介质(绝缘)和金属(导电)膜。ALD拥有众多优点,因此它被应用到多个领域,我们在这里做如下扼要介绍。

自对准图形  

ALD在自对准图形技术中起到关键作用,能比当前的光刻技术形成更小的图形。在这种技术中,薄间隔物被沉积在预先定义的特征上。这层间隔膜必须高度保形并且非常均匀,因为它将限定最终图形的关键尺寸。

3D NAND  

3D NAND存储器件的3D结构需要高度的工艺变异性控制,因此ALD非常合适用于在存储器孔的侧壁上形成介电膜。金属ALD也被用来替代栅格方案中的字线填充,这需要横向沉积,以完全填充狭窄的水平特征。

FinFET  

FinFET的薄栅极侧壁的间隔物必须形成极其均匀的厚度并没有小孔。ALD能把控制栅极和三维鳍结构分开,是沉积该层的绝佳方式。

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